このページのトップです。

ここからメインコンテンツです。

HEADLINE NEWS:2011年

理工学部電子光情報工学科・名西憓之 教授が応用物理学会「第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞)」を受賞!

 理工学部電子光情報工学科・名西憓之 教授が応用物理学会「第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞)」を受賞されました。

 業績:「RF MBE法による高品質InN薄膜の実現と物性解明、バルクGaAsの高品質化、及び化合物半導体光・電子デバイスの高性能化への貢献」

 化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞)は、赤崎勇 氏が2009年「窒化ガリウムpn接合の先駆的実現による青色発光素子発展への貢献」により京都賞を受賞された際の賞金の一部を基金として設立されたものです。化合物半導体エレクトロニクス分野において新しい技術の開発、発明、新原理の発見、または卓越した実証システムの構築等において顕著な業績をあげられた方に贈られる賞です。


 名西教授は、窒化物半導体の結晶成長、物性解明、光及び電子デバイス応用の分野で長年に亘って先端分野をリードしている世界屈指の研究者と称えられています。
 これまでの研究業績は、先駆性、独創性、分野の広さ、波及効果のすべてにおいて極めて優れているとの評価から、今回の受賞に至りました。

 2011年3月24日(木)には、神奈川工科大学にて、受賞式および受賞記念講演会が実施される予定です。

名西憓之 教授・荒木 努 准教授の研究室はこちら

「第1回化合物半導体エレクトロニクス業績賞(赤崎勇賞)」受賞者紹介についてはこちら

ここからサブコンテンツです。

ここからフッターです。